اکنون که سری گلکسی S26 سامسونگ بهطور رسمی رونمایی شده است، تعداد اندکی از علاقهمندان خوششانس دنیای فناوری توانستهاند به گوشیهای هوشمند جدید و اگزینوس 2600 دسترسی پیدا کنند و طبق تستهای انجامشده و بهلطف فناوری جدید بلوک مسیر حرارتی (HPB)، این تراشه توانسته یکبار برای همیشه به کابوس داغ شدن تراشههای اگزینوس پایان دهد.
نتایج شگفتانگیز تستهای گیمینگ
تنها چند ساعت پس از آنکه بحث عملکردی اگزینوس ۲۶۰۰ دربرابر اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ حلوفصل شد، کانال یوتیوب Vật Vờ Studio توانست بهطور قطعی قدرت حرارتی آخرین پردازنده پرچمدار سامسونگ را نشان دهد و خبرهای خوبی برای همه دارد! این کانال اخیراً گلکسی S26 و S26 پلاس را از طریق تستهایی نظیر آنتوتو، 3DMark و CPU Throttling تحت فشار قرار داده است.
برای آزمایش عملکرد حرارتی، او سه بازی متوالی شامل League of Legends: Wild Rift، گنشین ایمپکت و هونکای را با بالاترین تنظیمات گرافیکی اجرا کرد. دمای محیط در طول آزمایش حدود ۲۶ درجه سانتیگراد بود. نتایج به شرح زیر است:
- League of Legends: میانگین دمای گلکسی S26 پایه حدود ۳۲ درجه سانتیگراد بود.
- Genshin Impact (بیش از ۱۵ دقیقه): حداکثر دمای سطح جلویی S26 پلاس حدود ۳۸ درجه و دمای پشت بین ۳۷ تا ۳۷٫۵ درجه نوسان داشت.
- Honkai: اگرچه افت فریم (fps) گاهی مشاهده میشد، اما دمای جلوی دستگاه به حداکثر ۳۹ درجه و پشت دستگاه به کمی بالاتر از ۳۸ درجه رسید.
این قطعاً خبر بسیار خوبی برای مصرفکنندگان سامسونگ است که نسلبهنسل با مشکلات حرارتی شدید تراشههای اگزینوس دستوپنج نرم کردهاند.
سه دلیل انقلابی برای خنک ماندن اگزینوس ۲۶۰۰
برای کسانی که اطلاع ندارند، سامسونگ توانست عملکرد حرارتی اگزینوس ۲۶۰۰ را از سه طریق اصلی متحول کند:
- فرآیند ۲ نانومتری GAA: این اولین تراشه سامسونگ است که از فرآیند ۲ نانومتری GAA بهره میبرد. در این معماری سهبعدی ترانزیستور، گیت کاملاً کانال را (که از نانوصفحات عمودی تشکیل شده) احاطه میکند که منجر به کنترل الکترواستاتیک بهتر، ولتاژ پایینتر و بازدهی بیشتر میشود.
- فناوری بستهبندی FOWLP: استفاده از فناوری Fan-Out Wafer-Level Packaging باعث کوچکتر شدن فرمفاکتور کلی شده است. این روش با جایگزینی بستهبندی سنتی مبتنیبر زیرلایه با رویکرد سطح ویفر، امکان اتصال مستقیم به سیلیکون را فراهم میکند که نتیجه آن تراشههای نازکتر و کارآمدتر است.
- بلوک مسیر حرارتی (HPB): اگزینوس ۲۶۰۰ از فناوری نوآورانه هیتسینک مسی استفاده میکند که در تماس مستقیم با پردازنده (AP) قرار دارد و DRAM را به کنار منتقل میکند. این کار باعث بهبود مقاومت حرارتی تا ۳۰ درصد میشود.
بنابراین، با جفت کردن پیشرفتهترین گره ساخت تراشه با بستهبندی نوآورانه و هیتسینک جدید، سامسونگ سرانجام توانست بر مشکل گلوگاه حرارتی (Thermal Throttling) که بلای جان تراشههای اگزینوس تا پیش از مدل ۲۶۰۰ بود، غلبه کند.
عدم داغ شدن اگزینوس 2600
بهنظر شما آیا حل مشکل حرارتی اگزینوس باعث میشود تا اعتماد ازدسترفته کاربران به این برند تراشه بازگردد؟
|
